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Transistor MJE2955T
Transistor Bipolar
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de Produto: Transistores bipolares - BJT
Estilo de montagem: Através do orifício
Embalagem / Caixa: TO-220-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: solteiro Coletor
Tensão do Emissor VCEO Máx.: 60V
Coletor - Tensão Base VCBO: 70V
Emissor - Tensão Base VEBO: 5V
Tensão de saturação do coletor-emissor: 1,1V
Corrente máxima do coletor DC: 10A Pd - Dissipação de energia: 75W
Produto de ganho de largura de banda fT: 2MHz
Temperatura Mínima de Operação: - 55°C
Temperatura Máxima de Operação: + 150°C
Série: MJE2955T
Embalagem: Vareta
Ganho de corrente DC hFE máx.: 70
Altura: 9,15mm
Comprimento: 10,4mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,6mm
Marca: STMicroelectronics
Corrente de coletor contínua: 10A Coletor DC / Ganho de base hfe Min: 20
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
O MJE2955T é um transistor de potência de silício PNP amplamente utilizado em aplicações gerais de amplificadores e comutação . Ele foi projetado para lidar com correntes e dissipação de potência relativamente altas, tornando-o adequado para acionar cargas que exigem mais potência do que transistores de pequeno sinal.
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