Transistor 2N5953

Transistor 2N5953
Transistor RF JFET Canal N RF transistor

Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistor RF JFET
Tipo de transistor: JFET
Tecnologia: Si
Polaridade do transistor: Canal N Vds
Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 15V Vgs
Tensão de ruptura porta e fonte: 30V Id
Corrente de drenagem contínua: 5mA
Voltagem do portão de dreno máximo: 30V
Temperatura operacional mínima: - 55°C
Temperatura operacional máxima: + 150°C Pd
Dissipação de potência: 350mW
Estilo de montagem: Orifício de passagem Caixa / Gabinete: TO-92-3
Configuração: Single Altura: 5,33mm
Comprimento: 5,2mm
Produto: RF JFET
Série: 2N5953
Tipo: JFET
Largura: 4,19mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tensão de corte do portão fonte: 0,8V a 3V
Tipo de Produto: Transistor RF JFET
Subcategoria: Transistor

O 2N5953 é um transistor de efeito de campo de junção de canal N (JFET) . Ele foi projetado especificamente para aplicações de amplificadores e mixers VHF/UHF , o que significa que é ideal para processamento de sinais de alta frequência, especialmente em sistemas de rádio e comunicação.

Principais características e funcionalidades
Como um JFET, o 2N5953 opera como um dispositivo controlado por tensão, onde uma pequena tensão aplicada ao seu terminal de porta controla um fluxo de corrente maior entre o dreno e a fonte. Veja o que o diferencia:
Modo de Depleção do Canal N: Esta é a operação padrão para este tipo de JFET. Ele conduz corrente quando nenhuma tensão é aplicada à porta (EmGS​= 0 V), e uma tensão negativa no gate é usada para "beliscar" ou reduzir o fluxo de corrente.
Alta Impedância de Entrada: Uma característica dos JFETs, isso significa que a porta consome muito pouca corrente. Isso é crucial para aplicações de RF onde a carga da fonte de sinal pode degradar o desempenho.
Figura de baixo ruído: esta é uma especificação crítica para amplificadores, especialmente em receptores de RF sensíveis, pois garante que o próprio transistor adicione o mínimo de ruído indesejado ao sinal.
Alto ganho de potência: pode aumentar significativamente a potência de sinais de alta frequência, o que é essencial para uma amplificação eficaz.
Baixa capacitância: baixa capacitância de entrada e saída (frequentemente referida comoCEu SS​eCNÓS​) são importantes para o desempenho de alta frequência, pois a capacitância excessiva pode limitar a largura de banda e introduzir deslocamentos de fase indesejados.
Embalagem: Comumente encontrada na embalagem TO-92 , que é uma pequena embalagem plástica com furo passante.

Aplicações comuns
Dadas suas características especializadas, o 2N5953 é normalmente encontrado em:
Amplificadores VHF/UHF: Seu uso principal é amplificar sinais fracos de radiofrequência nas bandas de Frequência Muito Alta (VHF) e Ultra Alta Frequência (UHF).
Estágios de mistura em receptores: usados ​​para combinar dois ou mais sinais de RF para produzir novas frequências, uma etapa crucial em receptores de rádio.
Osciladores: Em circuitos que geram sinais de radiofrequência oscilantes.
Amplificadores de baixo ruído (LNAs): especialmente no front-end de receptores sensíveis, onde minimizar o ruído é fundamental.
Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa

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