Transistor 2SA1123

Transistor 2SA1123

Especificações:
Material do transistor: Si
Polaridade: PNP
Dissipação máxima de energia do coletor (Pc): 0,75W
Tensão máxima da base do coletor | Vcb |: 150V
Tensão máxima do coletor-emissor | Vce |: 150V
Tensão Base Máxima do Emissor | Veb |: 5V
Corrente máxima do coletor | Ic máx |: 0,05A
Máx. Temperatura de operação da junção (Tj): 125°C
Frequência de transição (ft): 200MHz
Taxa de transferência de corrente direta (hFE), MIN: 65
Figura de ruído, dB:

O Transistor 2SA1123 é um transistor bipolar de junção (BJT) PNP de silício, projetado para amplificação de baixa frequência e alta tensão de ruptura. Ele é comumente fabricado pela Panasonic (Matsushita).

Principais Características e Aplicações
O 2SA1123 é valorizado por suas propriedades que o tornam adequado para uma variedade de aplicações, especialmente em áudio:
Polaridade PNP: Isso significa que ele conduz corrente do emissor para o coletor quando uma pequena corrente é drenada de sua base (ou seja, uma voltagem negativa é aplicada à base em relação ao emissor).
Alta Tensão de Ruptura (High Breakdown Voltage): Uma das características marcantes é sua alta tensão coletor-emissor (VCEO) e coletor-base (VCBO), que tipicamente chegam a 150V. Isso o torna robusto para operar em circuitos com voltagens relativamente elevadas.
Amplificação de Baixa Frequência: Ele é otimizado para aplicações de áudio e outros circuitos de baixa frequência, onde a amplificação de sinal é necessária.
Baixo Ruído: É uma boa escolha para estágios de pré-amplificadores ou onde a integridade do sinal é crucial, minimizando o ruído indesejado.
Bom Ganho de Corrente (hFE): Apresenta um ganho de corrente satisfatório, o que o torna eficaz na amplificação de sinais. O hFE pode variar em faixas (R, S, T) dependendo da classificação específica do fabricante.
Baixa Capacitância de Saída do Coletor (Cob): Essa característica é importante para garantir bom desempenho em frequências mais altas, mesmo que seja otimizado para baixa frequência.
Par Complementar: Ele forma um par complementar com o transistor NPN 2SC2631. Essa característica é muito útil em designs de amplificadores de áudio tipo "push-pull" (como os estágios pré-driver de amplificadores de 20 a 40W), pois permite uma construção de circuito simétrica e eficiente.
Encapsulamento TO-92: Geralmente encontrado neste formato pequeno de plástico com furos (through-hole), que é fácil de usar e muito comum em eletrônicos de consumo.

Onde é Usado
Dadas as suas características, o 2SA1123 é frequentemente empregado em:
Amplificadores de Áudio: Em estágios de pré-amplificação e drivers de potência.
Amplificação de Baixa Frequência em Geral: Para sinais de áudio ou outros sinais de controle.
Circuitos de Comutação (Switching): Para aplicações que exigem comutação de tensões mais altas.
Circuitos de Regulação de Tensão: Como parte de circuitos reguladores.
Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa

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