Transistor IRFP90N20D

Transistor IRFP90N20DPBF
IRFP90N20D Módulo de Potência Banda
Mosfet 200 Volts 94 Amperes 23mOhm 180nCAC

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 94 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 23 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 180 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 580 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 20,7 mm
Comprimento: 15,87 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 5,31 mm
Marca: Infineon Technologies
Transcondutância em avanço - Mín: 39 S
Tempo de queda: 79 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 160 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 43 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 23 ns

http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfp90n20dpbf.pdf

O IRFP90N20D é um transistor MOSFET de potência tipo N, projetado para operar em altas correntes e tensões. Com capacidade para suportar até 200V, 98A de corrente contínua e 300W de dissipação de potência, ele é ideal para aplicações robustas em fontes chaveadas, inversores, controladores de motores, equipamentos industriais e sistemas automotivos.
Fabricado no encapsulamento TO-247, oferece baixa resistência de condução (RDS(on)) e rápida velocidade de comutação, garantindo maior eficiência energética e menor geração de calor.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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